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偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。

ISSI是一家專門設計，開發(fā)，銷售高性能PSRAM存儲芯片半導體產(chǎn)品的，PSRAM產(chǎn)品有8Mb/16Mb/32Mb/64Mb四種容量，封裝為BGA，可用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。可用JSC,VTI等品牌進行PIN to PIN替換兼容。該品牌非我司代理產(chǎn)品線

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