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SK海力士強勢出擊

2017-10-26 14:21:17

在內存與存儲器市場方面,SK海力士表現的非常“豪氣”,直接出資86.1億美元進行3D NAND Flash以及DRAM擴產,似乎是因為市場趨勢一片大好,SK海力士將兩廠擴產竣工的時間直接縮短至明年第四季度。
  
據了解,這次SK海力士擴產主要用于技術升級,產能最多提升3%-5%,相對于美光來說,這更像是一場新技術研發速度的比賽,畢竟美光剛建設新廠不久,兩者建設新廠的目的似乎不謀而合。
  
在產品研發上,SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片,并于4月再次推出AI、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6。
  
在NAND Flash 產品方面,美光成功開發出72層堆疊芯片,相比于上一代48層堆疊芯片,其運行速度提升2倍,讀寫性能提升了20%,生產效能也增長了30%,目前已經開始量產。
  
總結:
  
在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下,三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現狀,而是不斷研發全新產品。在這場角逐中,或許他們三者都是贏家。


本文關鍵詞: NAND Flash    DRAM

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